【原装】三菱IPM模块PM75DSA120【现货优势】_北京京诚宏泰科技有限公司

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【原装】三菱IPM模块PM75DSA120【现货优势】

型号/规格：

PM75DSA120

品牌/商标：

MITSUBISHI（三菱）

环保类别：

无铅环保型

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产品信息

【原装】供应三菱IPM模块PM75DSA120【现货优势】

IPM的基本工作特性:
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成，
其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。
IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)

和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，中大功率的IPM使用陶瓷绝缘。

IPM内部功能机制:
IPM内置的驱动和保护电路使系统硬件电路简单、可靠，缩短了系统开发时间，

也提高了故障下的自保护能力。与普通的IGBT模块相比，
IPM在系统性能及可靠性方面都有进一步的提高

日本三菱智能IPM模块（IPM=IGBT+BASEDRIVER+保护）
日本三菱1单元600V 智能IPM系列：
PM75EHS060	PM100EHS060	PM600HVA200	PM600HHA060	PM800HSA060
PM900HSA060	PM900HSAZ060
日本三菱1单元1200V 智能IPM系列：
PM300HHA120	PM400HSA120	PM600HSA120	PM800HSA120	PM1200HAF450
PM1200HCA330	PM1200HCE330-1	PM1200HCF330	PM1800HCE1700
日本三菱2单元600V 智能IPM系列：
PM100DHA060	PM100DKA060	PM150DKA060	PM150DHA060	PM200DSA060
PM200DKA060	PM200DHA060	PM300DSA060	PM300DHA060	PM400DHA060
OM400DSA060	PM400DVA060	PM600DVA060	PM600DSA060	PM800DLA060
PM900DLA060
日本三菱2单元1200V 智能IPM系列：
PM75DHA120	PM75DSA120	PM100DSA120	PM100DHA120	PM150DSA120
PM150DHA120	PM200DSA120	PM200DVA120	PM200DHA120	PM300DSA120
PM300DVA120	PM400DJA120	PM600DJA120

保护电路可以实现控制电压欠压保护、过热保护、过流保护和短路保护。如果IPM模块中有一种保护电路动作，IGBT栅极驱动单元就会关断门极电流并输出一个故障信号(FO)。各种保护功能具体如下:
(1)控制电压欠压保护(UV):IPM使用单一的+15V供电，若供电电压低于12．5V，且时间超过toff=10ms，发生欠压保护，封锁门极驱动电路，输出故障信号。
(2)过温保护(OT):在靠近IGBT芯片的绝缘基板上安装了一个温度传感器，当IPM温度传感器测出其基板的温度超过温度值时，发生过温保护，封锁门极驱动电路，输出故障信号。
(3)过流保护(OC):若流过IGBT的电流值超过过流动作电流，且时间超过toff，则发生过流保护，封锁门极驱动电路，输出故障信号。为避免发生过大的di/dt，大多数IPM采用两级关断模式。其中，VG为内部门极驱动电压，ISC为短路电流值，IOC为过流电流值，IC为集电极电流，IFO为故障输出电流。
(4)短路保护(SC):若负载发生短路或控制系统故障导致短路，流过IGBT的电流值超过短路动作电流，则立刻发生短路保护，封锁门极驱动电路，输出故障信号。跟过流保护一样，为避免发生过大的di/dt，大多数IPM采用两级关断模式。为缩短过流保护的电流检测和故障动作间的响应时间，IPM内部使用实时电流控制电路(RTC)，使响应时间小于100ns，从而有效抑制了电流和功率峰值，提高了保护效果。
当IPM发生UV、OC、OT、SC中任一故障时，其故障输出信号持续时间tFO为1．8ms(SC持续时间会长一些)，此时间内IPM会封锁门极驱动，关断IPM;故障输出信号持续时间结束后，IPM内部自动复位，门极驱动通道开放。
可以看出，器件自身产生的故障信号是非保持性的，如果tFO结束后故障源仍旧没有排除，IPM就会重复自动保护的过程，反复动作。过流、短路、过热保护动作都是非常恶劣的运行状况，应避免其反复动作，因此仅靠IPM内部保护电路还不能完全实现器件的自我保护。要使系统真正安全、可靠运行，需要辅助的外围保护电路。
2IPM驱动电路的设计

驱动电路是IPM主电路和控制电路之间的接口，良好的驱动电路设计对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要意义。
IGBT的分立驱动电路的设计
IGBT的驱动设计问题亦即MOSFET的驱动设计问题，设计时应注意以下几点:①IGBT栅极耐压一般在±20V左右，因此驱动电路输出端要给栅极加电压保护，通常的做法是在栅极并联稳压二极管或者电阻。前者的缺陷是将增加等效输入电容Cin，从而影响开关速度，后者的缺陷是将减小输入阻抗，增大驱动电流，使用时应根据需要取舍。②尽管IGBT所需驱动功率很小，但由于MOSFET存在输入电容Cin，开关过程中需要对电容充放电，因此驱动电路的输出电流应足够大，这一点设计者往往忽略。假定开通驱动时，在上升时间tr内线性地对MOSFET输入电容Cin充电，则驱动电流为Igt=CinUgs/tr，其中可取tr=2。2RCin，R为输入回路电阻。③为可靠关闭IGBT，防止擎住现象，要给栅极加一负偏压，因此采用双电源供电。
IGBT集成式驱动电路

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电容器(49)

电阻器(2)

电源/稳压器(1)

保险丝(1)

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显示屏/显示器件/配件(6)

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