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由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。　因此使用中要注意以下几点： 　　1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸; 　　2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块; 　　3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。 　　在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 　　此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。 　　在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。 　　在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作

BSM50GB60DLC 50A/600V/2U 
BSM75GB170DN2 75A/1700V/2U 
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BSM50GB120DN2 50A/1200V/2U 
BSM150GAL120DN2 150A/1200V/2U 
BSM75GB120DN2 75A/1200V/2U 
BSM200GAL120DN2 200A/1200V/2U 
BSM100GB120DN2K 100A/1200V/2U 
BSM300GAL120DN2 300A/1200V/2U 
BSM35GB120DLC 35A/1200V/2U 
BSM100GAL120DLCK 100A/1200V/2U 
BSM50GB120DLC 50A/1200V/2U 
BSM150GAL120DLC 150A/1200V/2U 
BSM75GB120DLC 75A/1200V/2U 
BSM200GAL120DLC 200A/1200V/2U 
BSM150GB170DLC 150A/1700V/2U 
BSM300GAL120DLC 300A/1200V/2U 
BSM100GB120DN2 100A/1200V/2U 
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BSM150GB120DN2 150A/1200V/2U 
BSM100GAR120DN2 100A/1200V/2U 
BSM200GB120DN2 200A/1200V/2U 
BSM150GAR120DN2 150A/1200V/2U 
BSM300GB120DN2 300A/1200V/2U 
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BSM100GB120(DLC 100A/1200V/2U 
BSM200GB120DLC 200A/1200V/2U 
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