北京京诚宏泰科技有限公司

北京京诚宏泰科技有限公司  现货销售代理各大品牌半导体器件 ：IGBT  IPM  PIM  GTO  MOS管 可控硅 整流桥 大功率晶闸管 熔断器 电容 二极管  IGBT驱动 ABB配件  西门子配件等功率器件。代理销售品牌：西门康 英飞凌 三菱 富士 东芝 日立 三社 三垦 泰科 英达 日之出 ABB 西门子 艾赛斯  IR ！原装 质量保证  半导体产业链配套！

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制造商：Infineon

产品：IGBT Silicon Modules

配置：Dual

集电极—发射极电压 VCEO：1200 V

在25 C的连续集电极电流：295 A

工作温度：+ 125 C

封装 / 箱体：62MM

栅极/发射极电压：+/- 20 V

工作温度：- 40 C

安装风格：Screw

工厂包装数量：10

销售代理国内外品牌电力电子器件和功率模块；主要代理及经销德国infneon(英 飞凌);EUPEC(优派克）、西门康、IXYS、AEG、TYCO，日本三菱、富士、东芝、日立、三社、三肯、因达，美国IR，瑞士ABB，英国西玛， 西班牙CATELEC等公司生产的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流桥、二极管、场效应模块；日本富士（FUJI）、日之出 （HINODE）、法国罗兰（FERRAZ）、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器；日本日立、黑金刚、红宝石，美国BHC电解电容以及美国 CDE无感电容；IGBT驱动模块、光耦、变频器主控板、驱动板，操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元  

由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。　因此使用中要注意以下几点： 　　1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸; 　　2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块; 　　3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。 　　在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 　　此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。 　　在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。 　　在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。