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11年
企业信息

北京京诚宏泰科技有限公司

卖家积分:17001分-18000分

营业执照:已审核

经营模式:贸易/代理/分销

所在地区:北京 北京市

企业网站:
http://www.jc-hongt.com/

人气:302022
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会员年限:11年

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供应英飞凌IGBT模块FZ2400R12HE4_B9晶体管
供应英飞凌IGBT模块FZ2400R12HE4_B9晶体管
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英飞凌IGBT模块FZ2400R12HE4_B9晶体管

型号/规格:

FZ2400R12HE4_B9

品牌/商标:

INFINEON(英飞凌)

环保类别:

无铅环保型

电压:

1200v

电流:

2400a

产品信息

供应英飞凌IGBT模块FZ2400R12HE4_B9晶体管

北京京诚宏泰科技有限公司销售供应英飞凌IGBT模块FZ2400R12HE4_B9晶体管

IGBT模块;可控硅模块;整流桥模块;二极管模块;电容;晶闸管;IPM模块;半导体功率模块;PLC模块,风机,传感器,驱动板,主控板,电源板,变频器配件

产品特征描述:

  1. 提高工作温度Tvj op
  2. 低开关损耗
  3. 低 VCEsat
  4. Tvj op = 150?C
  5. 4 kV 交流 1 分钟绝缘
  6. 封装的 CTI > 400
  7. 高爬电距离和电气间隙
  8. 铜基板
  9. UL

产品优势:

  • 高功率密度
  • 标准封装

IGBT是什么?
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。北京京诚宏泰科技有限公司销售供应供应IGBT模块FZ2400R12HE4_B9变频器电源 GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT与MOSFET的对比   供应英飞凌IGBT模块FZ2400R12HE4_B9晶体管
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
北京京诚宏泰科技有限公司销售供应英飞凌IGBT模块FZ2400R12HE4-B9晶体管
优点:热稳定性好、安全工作区大。
缺点:击穿电压低,工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
北京京诚宏泰科技有限公司销售供应IGBT模块FZ2400R12HE4-B9变频器电源
特点:  供应英飞凌IGBT模块FZ2400R12HE4_B9晶体管

击穿电压可达1200V,集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。
IGBT的典型应用
电动机
不间断电源
太阳能面板安装
电焊机
电源转换器与反相器
电感充电器
电磁炉



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FZ1200R17HP4_B2
FZ2400R17HP4_B29
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FZ2400R12HE4P_B9
FZ2400R12HE4_B9

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