北京京诚宏泰科技有限公司

日本NIEC因达整流二极管模块PD20012 POWER MODULE 200A 1200V DUAL-DIODE 北京京诚宏泰科技有限公司原装现货销售NIEC因达IGBT模块；NIEC因达整流二极管模块； NIEC因达可控硅；NIEC因达整流桥 日本NIEC因达整流二极管模块PD20012技术参数：VRRM=1600V ;IO=150A 日本NIEC因达整流二极管模块PD20012 日本NIEC因达整流二极管模块型号： PD308、PD3012、PD3016、PD308A、PD3012A、PD3016A、PD308AM、 PD3012AM、PD3016AM、PD608、PD6012、PD6016、PD608A、PD6012A、 PD6016A、PD608AM、PD6012AM、PD6016AM、PD1008、PD10012、 PD10016、PD1008A、PD10012A、PD10016A、PD1008AM、PD10012AM、 PD10016AM、PD1508、PD15012、PD15016、PD1508A、PD15012A、 PD15016A、PD1508AM、PD15012AM、PD15016AM、PD2008、PD20012、 PD20016、PD2008A、PD20012A、PD20016A、PD2008AM、PD20012AM、 PD20016AM、PD4008、PD40012、PD40016、PD4008A、PD40012A、 PD40016A、PD4008AM、PD40012AM、PD40016AM 日本NIEC因达整流二极管模块PD20012 整流二极管(rectifier diode) 整流二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。通常它包含一个PN结， 有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子 ，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低， 位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）, 称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压， 流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。 整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。 硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。 通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。 这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高， 一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路， 如需达到全波整流需连成整流桥使用。 日本NIEC因达整流二极管模块PD20012 日本NIEC因达可控硅模块型号： PDT308、PDT3012、PDT3016、PDT608、PDT6012、PDT6016、PDT6018、 PDT908、PDT9012、PDT9016、PDT1518、PDT15112、PDT15116、PDT1508、 PDT15012、PDT15016、PDT2008、PDT20012、PDT20016、PDT2008A、 PDT20012A、PDT20016A、PDT2008AM、PDT20012AM、PDT20016AM、 PDT4004、PDT4008、PDT40012、PDT40016PDT4004A、PDT4008A、 PDT40012A、PDT40016APHT2008、PHT20012、PHT20016、PHT4008、 PHT40012、PHT40016。 产品型号 参数说明 封装形式 FS6R06VE3_B2 6A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 原装 FS10R06XL4 10A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和压降1.95V 原装 FS10R06VE3 10A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装 FS10R06VE3_B2 10A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装 FS10R06VL4_B2 10A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和压降1.95V 原装 FS15R06XE3 15A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装 FS15R06XL4 15A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和压降1.95V 原装 FS15R06VE3 15A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装 FS15R06VE3_B2 15A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装 FS15R06VL4_B2 15A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和压降1.95V 原装 FS20R06W1E3 20A,600V@Tc=100℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装 FS20R06W1E3_B11 20A,600V,@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装 FS20R06XL4 20A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和压降1.95V 原装 FS20R06VE3 20A,600V,@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装 FS20R06VE3 20A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装 FS20R06VE3_B2 20A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装 FS30R06W1E3 30A,600V@Tc=100℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装 FS30R06W1E3_B11 30A,600V,@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装 FS30R06XE3 30A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装 FS30R06XL4 30A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和压降1.95V 原装 FS30R06VE3 30A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装 FS50R06W1E3 50A,600V@Tc=90℃,IGBT3,饱和压降1.45V 原装 FS50R06W1E3_B11 50A,600V,@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装 FS50R06KE3 50A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 原装 FS50R06YE3 50A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 原装 FS50R06YL4 50A,600V@Tc=80℃,IGBT2,饱和压降1.95V 原装 FS75R06KE3 75A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 原装 FS100R06KE3 100A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 原装 FS150R06KE3 150A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 原装 FS150R06KE3_B4 150A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 原装 FS200R06KE3 200A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 原装 FS400R06A1E3 400A,600V,三相桥,HEV专用,停产由FS400R07A1E3替代 原装 FS400R07A1E3 400A,650V,三相桥,HEV专用,替代 日本NIEC因达整流二极管模块PD20012 日本NIEC因达整流桥模块型号： PT308、PT508、PT76S8C、PT76S12C、PT76S16C、PT100S8C、 PT100S12C、PT100S16C、PT150S8CPT150S12C、PT150S16C、 PT200S8C、PT200S12C、PT200S16C、PGH308A、PGH3012A、 PGH3016A、PGH308AM、PGH3012AM、PGH3016AM、PGH758A、 PGH7512A、PGH7516A、PGH758AM、PGH7512AM、PGH7516AM、 PGH1008A、PGH10012A、PGH10016A、PGH1008AM、PGH10012AM、 PGH10016AM、PGH1508A、PGH15012A、PGH15016A、PGH1508AM、 PGH15012AM、PGH15016AM、PGH2008A、PGH20012A、PGH20016A、 PGH2008AM、PGH20012AM、PGH20016AM。 日本NIEC因达整流二极管模块PD20012 日本NIEC因达IGBT模块型号： PDMB400A6、 PDMB150B12C、 PDMB200B12C、 PDMB300B12C、 PHMB400C12、 PHB2006、 PDB1506 英达三相桥 Nihon_Inte Three phase bridge 型号MODEL NUMBER 技术指标 型号 技术指标 PT308 30A/800V/6U PT76S/12C 76A/1200V/6U PT508 50A/800V/6U PT100S/12C 100A/1200V/6U PT758 75A/800V/6U PT150S8C 150A/800V/6U PT768 76A/800V/6U PT150S/12C 150A/1200V/6U PTA/800V/6U PT200S/12C 200A/1200V/6U PT76S8C 76A/800V/6U PT200S8C 200A/800V/6U PT150S/16C 150A/1600V/6U PT200S/16C 200A/1600V/6U PT76S/16C 76A/1600V/6U PT100S/16C 100A/1600V/6U 三菱整流二极管DZ系列 MITSUBISHI DIODE, DZ SERIES 型号MODEL NUMBER 技术指标 型号 技术指标 RM30DZ-24 30A/1200V/2U RM250DZ-24 250A/1200V/2U RM30DZ-2H 30A/1600V/2U RM250DZ-2H 250A/1600V/2U RM60DZ-24 60A/1200/2U RM500DZ-H 500A/800V/2U RM60DZ-2H 60A/1600V/2U RM500DZ-24 500A/1200V/2U RM60DZ-H 60A/800V/2U RM500HA-H 500A/800V/1U RM100DZ-H 100A/800V/2U RM500HA-24 500A/1200V/2U RM100DZ-24 100A/1200V/2U RM500HA-2H 500A/1600V/2U RM100DZ-2H 100A/1600V/2U RM150DZ-H 500A/800V/2U RM150DZ-24 150A/1200V/2U RM500DZ-2H 500A/1600V/2U RM150DZ-2H 150A/1600V/2U