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日本NIEC因达整流二极管模块PD308A、PD3012A、PD3016A

北京京诚宏泰科技有限公司原装现货销售NIEC因达IGBT模块；NIEC因达整流二极管模块；

NIEC因达可控硅；NIEC因达整流桥

日本NIEC因达整流二极管模块型号：

PD308、PD3012、PD3016、PD308A、PD3012A、PD3016A、PD308AM、

PD3012AM、PD3016AM、PD608、PD6012、PD6016、PD608A、PD6012A、

PD6016A、PD608AM、PD6012AM、PD6016AM、PD1008、PD10012、

PD10016、PD1008A、PD10012A、PD10016A、PD1008AM、PD10012AM、

PD10016AM、PD1508、PD15012、PD15016、PD1508A、PD15012A、

PD15016A、PD1508AM、PD15012AM、PD15016AM、PD2008、PD20012、

PD20016、PD2008A、PD20012A、PD20016A、PD2008AM、PD20012AM、

PD20016AM、PD4008、PD40012、PD40016、PD4008A、PD40012A、

PD40016A、PD4008AM、PD40012AM、PD40016AM

 整流二极管(rectifier diode)

整流二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。通常它包含一个PN结，

有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子

，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，

位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,

称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，

流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。

整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。

硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。

通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。

这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，

一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，

如需达到全波整流需连成整流桥使用。 

日本NIEC因达可控硅模块型号：

PDT308、PDT3012、PDT3016、PDT608、PDT6012、PDT6016、PDT6018、

PDT908、PDT9012、PDT9016、PDT1518、PDT15112、PDT15116、PDT1508、

PDT15012、PDT15016、PDT2008、PDT20012、PDT20016、PDT2008A、

PDT20012A、PDT20016A、PDT2008AM、PDT20012AM、PDT20016AM、

PDT4004、PDT4008、PDT40012、PDT40016PDT4004A、PDT4008A、

PDT40012A、PDT40016APHT2008、PHT20012、PHT20016、PHT4008、

PHT40012、PHT40016。